APTGTQ200DA65T3G

功能描述:POWER MODULE - IGBT

制造商:microsemi corporation

系列:-

零件状态:在售

IGBT 类型:-

配置:升压斩波器

电压 - 集射极击穿(最大值):650V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):200A

功率 - 最大值:483W

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,200A

电流 - 集电极截止(最大值):200μA

不同?Vce 时的输入电容(Cies):12nF @ 25V

输入:标准

NTC 热敏电阻:

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:底座安装

封装/外壳:模块

供应商器件封装:SP3F

标准包装:1

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